RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (6A005-G Thru. 6A10-G)
Page 2
QW-BG014
REV:A
SMD
Diodes
Specialist
Fig.1- Forward Current Derating Curve
0
A
v
e
r
a
g
e
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
Ambient Temperature, (°C)
0
80
140
Fig.2- Maximum Non-repetitive Surge Current
0
P
e
a
k
F
o
r
w
a
r
d
S
u
r
g
e
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
Number of Cycles at 60Hz
0
100
100
Fig.4- Typical Forward Characteristics
0.1
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
Instantaneous Forward Voltage, (V)
0
1.0
1000
0.8
60
100
200
120
2.0
4.0
6.0
10
300
0.2
0.6
1.0
1.8
1.2
1.6
10
100
40
Pulse width 8.3mS single half sine-
wave (JEDEC Method)
Fig.3- Typical Junction Capacitance
10
C
a
p
a
c
i
t
a
c
n
e
,
(
p
F
)
Reverse Voltage, (V)
0.1
1000
1
10
100
100
=25
OC
TJ
f=1MHz
Single phase Half wave, 60Hz
Resistive or inductive load
400
0.4
1.4
Pulse width=300uS
General Purpose Silicon Rectifiers
*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
6A10B-G RECTIFIER GP 1000V 6.0A R-6
6A2-T RECTIFIER SILICON 200V 6A R-6
70EPF04 DIODE FAST REC 400V 70A POWIRTAB
70UR60 G BK R DIODE 600V 250A COM ANODE DO-9
75HQ045 DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO-5
85EPF04 DIODE STD REC 400V 85A POWIRTAB
8ETL06FPPBF DIODE HYPERFAST 600V 8A TO220FP
8ETU04-1 DIODE UFAST 400V 8A TO-262
相关代理商/技术参数
6A10G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:700
6A10G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400
6A10G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 100V 6A 2-Pin Case R-6 T/R
6A10G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000
6A10GHA0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:700
6A10GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400
6A10GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000
6A10G-RE6 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述: